Рефераты

Главная

Программирование и
комп-ры

Психология

Радиоэлектроника

Аудит

АХД экпред финансы
предприятий

Банковское дело

Биографии

Биология и химия

Биржевое дело

Финансы деньги и налоги

Философия

Физика и энергетика

Военная кафедра

Ветеринария

Валютные отношения

География и экономическая
география

Геология гидрология и
геодезия

Государство и право

Товароведение

Транспорт

Нотариат

Архитектура

Химия

Гражданское право и
процесс

Графология

Делопроизводство

Деньги и кредит

Новые и неперечисленные

Интегральная микросхема КР1533ТВ6

ГОСКОМСТАТ РФ

УФИМСКИЙ КОЛЛЕДЖ СТАТИСТИКИ, ИНФОРМАТИКИ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ.

Предмет: «Микросхемотехника»

Пояснительная записка к курсовой работе.

Руководитель:

_________/ /

«_____»_________2001 год

Студент:

__________/ /

«_____»________2001 год

Уфа 2001

Госкомстат Российской Федерации

Уфимский колледж статистики информатики и вычислительной техники

Утверждаю :

_________ / /

“____”__________ 2001 год.

ЗАДАНИЕ

На курсовую работу по теме:

«Интегральная микросхема КР1533ТВ6»

Студента дневного отделения

Группа 3А-1, специальность 2202

Ф.И.О.

При выполнении курсовой работы должны быть предоставлены:

1. Пояснительная записка, состоящая из следующих разделов:

1.1. Введение.

1.2. Микросхемотип.

2. Графическая часть

1. Схема.

2. Общий вид.

3. Список литературы

Задание к выполнению получил

“ 15 ” марта 2001г.

Студент группы 3А-1

______________ / /

Срок окончания

“ ”

2001г.

Руководитель курсовой работы ____________ / /

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На курсовую работу

Студента дневного отделения

Группа 3А-1, специальность 2202 ,Ф.И.О.:

Тема курсовой работы: ” Интегральная микросхема КР1533ТВ6”.

Текст заключения:

Руководитель курсовой работы:

______________ / /

«____» ___________ 2001г.

Аннотация

Данная курсовая работа по предмету «Микросхемотехника» содержит описание

интегральной микросхемы КР1533ТВ6.

В курсовой работе приводится подробное описание, применение и технология

изготовления этой микросхемы.

13 968-К-2001 2202 КП-ПЗ

Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. . .

Проверил .

Лист

Листов

УКСИВТ,

3А-1

Содержание

Стр.

1. Введение………………………………………………………..… 5

2. Микросхемотип…………………………………………………. 6

3. Описание схемы………………………………………………... 14

4. Графическая часть…………………………………………….. 16

1. Схема………………………………………………………. 16

2. Общий вид…………………………………………….…. 19

5. Технология изготовления…………………………………….. 22

6. Используемая литература……………………………………25

| |

|1. Введение |

| |

|Научно-технический прогресс не возможен без элекрофикации всех отраслей |

|народного хозяйства. Потребности народного хозяйства в электрической энергии |

|непрерывно растут, что приводит к увеличению ее производства. |

|Современный этап научно-технического прогресса характеризуется широким |

|внедрением достижений микро электротехники в создание изделий |

|культурно-бытового и хозяйственного назначения. |

|Наука стала непосредственной производительной силой, а научные достижения |

|оказались в существеннейшей степени зависящими от уровня развития и |

|возможностей современных технологий. |

|Электронные приборы составляют основу важнейших средств современной связи, |

|автоматики, измерительной техники. Они помогают проникнуть в тайны микромира и |

|космоса, измерить электрические потенциалы живой клетки и атомарные |

|шероховатости обрабатываемой поверхности. Эти приборы преобразуют солнечное |

|излучение в электрическую энергию, питающую спутники. На основе электроники |

|реален переход к полностью автоматизированному производству. Уже сейчас |

|применяются станки с числовым программным управлением и промышленные работы. |

|Качественным скачком в развитии электроники было создание в последнее два |

|десятилетия микросхем с последовательно и быстро увеличивающейся степенью |

|интеграции электронных элементов ИС, БИС, СБИС. |

|Ускоренно развивается производство технически сложной бытовой аппаратуры |

|длительного пользования с улучшенными потребительскими и эстетическими |

|свойствами, полученными благодаря использованию современных компонентов и, в |

|первую очередь, интегральных микросхем. |

|Применение современной элементной базы позволило не только усовершенствовать |

|старые, но и создать новые методы проектирования, конструирования и |

|производства бытовой радиоаппаратуры, улучшить ее технические и |

|эксплуатационные характеристики. Малые габариты, масса, потребляемая мощность, |

|высокая надежность, долговечность, многообразное функциональное значение дали |

|возможность создать такие устройства, как персональный микрокасетный |

|проигрыватель, видеомагнитофон и др. |

| | | | | | | 5 |

|2. Микросхемотип |

|Основу последовательностных цифровых структур составляют триггеры различных |

|типов, которые могут использоваться самостоятельно или в составе счетчиков, |

|регистров и т. д. |

|Триггеры ТТЛ-микросхем различаются по своим возможностям. Так называемые JK- и |

|D-триггеры ТМ2 могут работать в счетном режиме, то есть менять свое состояние на|

|противоположное на каждый импульс, приходящий на счетный вход триггера. Триггеры|

|других микросхем могут работать только в режиме хранения информации, |

|записываемой в них в момент подачи тактовых импульсов. На рис. 16 приведены |

|графические обозначения описываемых далее триггеров. |

|Триггер К155ТВ1 имеет девять входов: R - установки в 0, S - установки в 1, С - |

|тактовых импульсов, J и К - управляющие (по три входа, объединенных по схеме И),|

|а также прямой и инверсный (обозначен кружком) выходы. При подаче лог. 0 на вход|

|R триггер устанавливается в нулевое состояние, при котором на прямом выходе лог.|

|0, на инверсном - лог. 1. При подаче лог. 0 на вход S триггер устанавливается в |

|единичное состояние. При подаче лог. 0 одновременно на оба входа (R и S) |

|триггера на обоих выходах появляется лог. 1. Состояние триггера после снятия |

|лог. 0 со входов R и S определяется тем, с какого из входов лог. 0 снят |

|последним. Аналогично управляются по входам R и S все описываемые далее триггеры|

|ТТЛ. |

|Сложнее происходит работа триггера при подаче сигналов на входы С, J и К. |

|Наиболее простой режим - при лог. 1 на входах J и К. В этом случае JK-триггер |

|работает, как обычный триггер со счетным входом: по спаду каждого положительного|

|импульса на тактовом входе С состояние триггера меняется на противоположное. |

|Если хотя бы на одном входе J и на одном входе К одновременно лог. 0, состояние |

|триггера при подаче импульсов по тактовому входу С не меняется. |

|Если на всех входах J лог. 1, хотя бы на одном входе К - лог. 0, по спаду |

|положительного импульса на входе С триггер устанавливается в единичное состояние|

|независимо от своего предыдущего. Если хотя бы на одном входе J лог. 0, на всех |

|входах К - 1, по спаду импульса на входе С триггер устанавливается в нулевое |

|состояние. |

|Изменение сигналов на J- и К-входах при лог. 0 на входе С не влияет на состояние|

|JK-триггера. Если же на входе С лог. 1, изменение сигналов на J- и К-входах само|

|по себе не влияет на состояние выходов, но запоминается. Если триггер находится |

|в нулевом состоянии и во время действия положительного тактового импульса на |

|всех входах J была кратковременно лог. 1, по спаду импульса положительной |

|полярности триггер перейдет в единичное состояние независимо от состояния входов|

|J и К на момент спада. Аналогично, если триггер находится в единичном состоянии |

|и во время действия тактового импульса на всех входах К была кратковременно лог.|

|1, по спаду тактового импульса триггер перейдет в нулевое состояние независимо |

|от состояния входов J и К. |

| | | | | | | 6 |

| |

|[pic] |

| |

|Предельная частота работы триггера К155ТВ1 10 МГц. |

|Микросхема ТВ6 (рис. 16) - сдвоенный JK-триггер. Каждый триггер имеет вход для |

|подачи тактовых импульсов С, входы для подачи информации J и К, вход сброса R. |

|Приоритетом пользуется вход R -при подаче на него лог. 0 триггер устанавливается|

|в нулевое состояние, при котором на прямом выходе триггера - лог. 0, на |

|инверсном -лог. 1. При лог. 1 на входе R возможна запись информации со входов J |

|и К. Переключение триггера происходит по спаду импульсов положительной |

|полярности на входе С. Если перед спадом сигнала на входе С на входе J лог. 1, |

|на входе К лог. 0, триггер установится в единичное состояние, если на входе J |

|лог. 0, на входе К лог. 1 - в нулевое. Если на входах J и К лог. 0, переключение|

|по спаду импульса на входе С не произойдет; если на обоих входах лог. 1, триггер|

|по спаду на входе С переключится в противоположное состояние. Для переключения |

|триггера важна информация на входах J и К непосредственно перед переходом на |

|входе С уровня лог. 1 в лог. 0, поэтому информация на входах J и К может |

|меняться как при лог. 0, так и при лог. 1 на входе С. Предельная частота работы |

|триггеров микросхем К555ТВ6 и КР1533ТВ6 - 30 МГц. |

| |

|Микросхема ТВ9 (рис. 16) - также два JK-триггера, имеющих дополнительно ко |

|входам триггеров К555ТВ6 еще входы установки в единичное состояние S при подаче |

|лог. 0 на вход S. В остальном логика работы этих триггеров аналогична логике |

|работы триггера ТВ6. |

|Предельная частота работы триггеров микросхем К555ТВ9 и КР1533ТВ9 - 30 МГц. |

|Микросхема ТВ10 (рис. 16) - два JK-триггера, функционирующих аналогично |

|триггерам микросхем ТВ9, но отличающихся наличием лишь одного установочного |

|входа. Этот вход можно считать входом установки в состояние 1 (вход S), можно |

|считать входом сброса (вход R), в этом случае входы J и К и прямой и инверсный |

|выходы меняются местами. Оба варианта графического обозначения триггера |

|приведены на рис. 16. |

|Микросхема ТВ11 (рис. 16) - два аналогичных JK-триггера со входами установки и |

|сброса, входы сброса и тактовые входы этих триггеров соответственно объединены. |

| |

|Предельная частота работоспособности триггеров КР1533ТВ10 и КР1533ТВ11- 30 МГц, |

|триггеров КР531ТВ9- КР531ТВ11 -80 МГц. Входные токи триггеров серии КР531 по |

|некоторым входам увеличены - для выводов S всех триггеров - 7 мА, R для |

|КР531ТВ11 - 14 мА, С для КР531ТВ9 и КР531ТВ10- 4 мА, для КР531ТВ11-8 мА. |

|Микросхема ТВ15 - сдвоенный JK-триггер (рис. 16), каждый из которых имеет входы:|

|R и S - для установки в 0 и 1 при подаче лог. 0 на соответствующий вход, С - для|

|подачи тактовых импульсов и J и К-информационные. Особенность микросхемы в том, |

|что входы К - инверсные. В отличие от описанных выше JK-триггеров переключение |

|происходит по спаду импульсов отрицательной полярности на входе С. |

|Счетный режим переключения триггера на каждый импульс осуществляется при подаче |

|на вxoд J лог. 1, на вход К - лог. 0. Если на входы J и К подать лог. 1, по |

|спаду импульса отрицательной полярности произойдет установка триггера в 1, если |

|на эти входы подать лог. 0 - в 0. Объединение входов J и К превращает триггеры |

|микросхемы в D-триггеры, аналогичные триггерам микросхем ТМ2, описываемых ниже. |

|При J = 0, К = 1 происходит блокировка переключения, и триггеры микросхемы ТВ15 |

|на импульсы на входе С не реагируют. Сигналы на входах J и К можно изменять как |

|при лог. 0, так и при лог. 1 на входе С - для переключения триггера играют роль |

|сигналы на этих входах лишь непосредственно перед переходом напряжения на входе |

|С с лог. 0 на лог. 1. |

|Предельная частота функционирования триггеров К155ТВ15 -25 МГц, КР1533ТВ15 - 34 |

|МГц. |

|Микросхема ТМ2 (рис. 16) содержит два D-триггера. Триггер D-типа имеет вместо |

|входов J и К один вход D. По входам R и S |

| |

|D-триггер работает так же, как и JK-триггер. Если на входе D лог. 0, по спаду |

|импульса отрицательной полярности на входе С триггер устанавливается в нулевое |

|состояние, при лог. 1 на входе D по спаду импульса отрицательной полярности на |

|входе С триггер устанавливается в единичное состояние. |

|Для получения режима счетного триггера вход D соединяют с инверсным выходом |

|триггера, в этом случае триггер меняет свое состояние на противоположное по |

|спадам входных импульсов отрицательной полярности. |

|Предельная частота функционирования триггеров К155ТМ2 -15 МГц, К555ТМ2 - 25 МГц,|

|КР1533ТМ2 - 40 МГц, КР531ТМ2 -80 МГц. Входные токи микросхемы КР531ТМ2 в |

|состоянии лог. 0 составляют 4 мА по входам С и S, 6 мА по входу R, 2 мА по входу|

|D. |

|На основе JK- и D-триггеров ТМ2 строятся счетчики и делители частоты. |

|Для построения двоичных счетчиков счетные входы JK-триггеров К155ТВ1, ТВ6, ТВ9 -|

|ТВ 11 соединяют с прямыми выходами предыдущих триггеров, а D-триггеров ТМ2 и |

|JK-триггеров ТВ 15 с инверсными (рис. 17). Отличие в подключении входов связано |

|с тем, что триггеры микросхем ТМ2 и ТВ 15 срабатывают по спаду импульсов |

|отрицательной полярности, а остальные - по спаду импульсов положительной |

|полярности. |

|Состояние счетчика (число поступивших на его вход импульсов после установки в 0)|

|однозначно определяется состоянием его триггеров. В частности, для |

|четырехразрядных счетчиков состояние может быть определено по формуле |

|[pic] |

| |

|где Yi= 0 или 1 - состояние 1-го триггера (i = 1 - 4, начиная со входа |

|счетчика); Рj= 2^i - 1 - вес i-го разряда счетчика. О таких счетчиках |

|[pic] |

| |

|говорят, что они работают в весовом коде 1-2-4-8. Счетчик может быть построен |

|так, что его весовой код будет отличаться от рассмотренного. Так, для |

|четырехразрядных счетчиков получили распространение коды 1-2-4-6, 1-2-2-4 и др. |

|Существуют такие структуры счетчиков, состояние которых не может быть выражено |

|приведенной выше формулой. О таких счетчиках говорят, что они работают в |

|невесовом коде. Их состояния определяют по временным диаграммам или таблицам |

|переходов. Сказанное о четырехразрядных счетчиках распространяется на счетчики |

|любой разрядности. |

|Делители частоты (далее просто делители) отличаются от счетчиков тем, что в них |

|используется только один выход - выход последнего триггера. Таким образом, |

|n-разрядный двоичный счетчик всегда можно рассматривать как делитель на 2^n. |

|Часто необходимо осуществить деление частоты на некоторое целое число т, не |

|являющееся степенью двойки, в таких случаях обычно используют n-разрядный |

|двоичный счетчик (2^n >m) и вводом дополнительных логических связей обеспечивают|

|пропуск 2^n - m состояний в процессе счета. Этого можно достигнуть, например, |

|принудительной установкой счетчика в 0 при достижении состояния m или |

|принудительной установкой счетчика в состояние 2^n - m при его переполнении. |

|Возможны и другие способы. Например, наиболее часто применяемая декада (счетчик |

|с коэффициентом пересчета 10) нa JK-триггерах К155ТВ1 строится по схеме рис. 18 |

|(а). При подаче импульсов с 1-го по 8-й декада работает как обычный двоичный |

|счетчик импульсов. К моменту подачи восьмого импульса на двух входах J |

|четвертого |

|[pic] |

| |

|триггера формируется уровень лог. 1, восьмым импульсом этот триггер |

|переключается в единичное состояние и уровень лог. 0 с его инверсного |

| |

|выхода, подаваемый на вход J второго триггера, запрещает его переключение в |

|единичное состояние под действием десятого импульса. Десятый импульс |

|восстанавливает нулевое состояние четвертого триггера, и цикл работы делителя |

|повторяется. |

|Декада на рис. 18 (а) работает в весовом коде 1-2-4-8. Временная диаграмма ее |

|работы приведена на рис. 18 (б). |

|Декада на D-триггерах, схема которой приведена на рис. 19 (а), работает в |

|невесовом коде. Временная диаграмма ее работы приведена на рис. 19 (б). |

|[pic] |

| |

|Построение счетчиков с коэффициентом пересчета 10 (декад) на триггерах ТВ6, ТВ9,|

|ТВ10 отличается от построения на триггерах К155ТВ1, так как у триггеров |

|указанных микросхем по одному входу J и К. |

|На рис. 20 приведена схема декады, работающей в весовом коде 1-2-4-8. Для |

|увеличения числа входов J до необходимого использован один элемент микросхемы |

|К555ЛИ1. На рис. 21 (а) приведена схема декады, выходной код которой не является|

|весовым. Работа декады проиллюстрирована на диаграмме рис. 21 (б). Элемент DD3 |

|не является обязательным, он преобразует код работы декады в весовой код 1-2-4-8|

|(выходы А, В, С, Е), что может быть необходимым для подключения к декаде |

|дешифратора или преобразователя кода для семисегментного индикатора. |

| |

|[pic] |

| |

|[pic] |

| |

|Декада, схема которой приведена на рис. 22 (а), также работает в невесовом коде.|

|Делитель на пять DD1.2, DD2.1, DD2.2 этой декады выполнен на основе сдвигающего |

|регистра с перекрестными связями так же, как и декады на D-триггерах рис. 19 |

|(а). Коэффициент деления шесть такого регистра уменьшен до пяти за счет |

|подключения входа R триггера DD2.2 к прямому выходу триггера DD2.1. Временная |

|диаграмма работы приведена на рис. 22 (б). |

| |

|[pic] |

| |

|Микросхема ТР2 (см. рис. 16) - четыре RS-триггера. Два триггера микросхемы |

|имеют по одному входу R и S, два других - по одному входу R и по два входа S. |

|Сброс и установка триггеров в 1 происходят при подаче лог. 0 соответственно на |

|входы R и S. Входы S тех триггеров, гдеих два, собраны как логический элемент |

|ИЛИ для сигналов лог. 0, поэтому для установки триггеров в состояние 1 |

|достаточно подать лог. 0 на один из входов S, состояние второго при этом не |

|играет роли. Если на входы R и S триггера подать лог. 0, на выходе триггера - |

|лог. 1. Состояние триггера после снятия сигналов лог. 0 со входов R и S будет |

|определяться тем, с какого из входов лог. 0 будет снят последним. |

|Микросхему ТР2 можно использовать для подавления дребезга контактов (рис. 23) и |

|в других случаях. |

| |

|3. Описание схемы |

| |

|Микросхема КР1533ТВ6 представляет собой два JK-триггера, срабатывающих по |

|отрицательному фронту тактового сигнала, со входами сброса. Низкий уровень |

|напряжения на входе сброса R устанавливает прямой выход Q соответствующего |

|триггера в состояние низкого уровня напряжения вне зависимости от логического |

|состояния на других входах. |

| |

|При наличии на входе сброса напряжения высокого уровня для правильной работы |

|триггера требуется предварительная установка информации по входам J и К |

|относительно отрицательного фронта тактового сигнала, а также |

|соответствующая выдержка информации после подачи отрицательного фронта |

|синхросигнала С. При подаче на входы J и К напряжения высокого уровня триггер |

|будет работать в качестве счетного. |

| |

|Принципиальные отличия серии КР1533 |

| |

|Маломощные быстродействующие цифровые ИМС серии КР1533 предназначены для |

|организации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, временного|

|и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы по |

|сравнению с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минимальным |

|значением произведения быстродействия на рассеиваемую мощность. Аналог- серия |

|SN74ALS фирмы Texas Instruments. |

|Микросхемы изготавливаются по усовершенствованной эпитоксиально – планарной |

|технологии с диодами Шоттки и окисной изоляцией, одно- и двухуровневой |

|металлизированной разводкой на основе PtSi-TiW0AlSi. |

|Конструктивно микросхемы серии КР1533 выполнены в 14-, 16-, 20-, и 24- выводных |

|стандартных пластмассовых корпусах типа 201, 14-1, 238.16-1, 2140.20-8, |

|2142.42-2. |

|Технические характеристики: |

|Стандартные ТТЛ входные и выходные уровни сигналов. |

|Напряжение питания 5,0 В (10%. |

|Задержка на вентиль 4 нс. |

|Мощность потребления на вентиль 1мВт. |

|Тактовая частота до 70 мГц. |

|Выходной ток нагрузки низкого уровня до 24 мА. |

|Выходной ток нагрузки высокого уровня - 15 мА. |

|Гарантированные статические и динамические характеристики при емкости нагрузки |

|50 пФ в диапазоне температур от –10о С до +70о С и напряжений питания 5 В (10%.|

| |

|Устойчивость к статическому электричеству до 200 В. |

| |

|Микросхема размещена в корпусе 201.14-1 и по основным электрическим параметрам |

|превосходит аналог фирмы TI. |

| |

|Для справки: |

|— емкость входа — не более 5 пФ по выводам 01, 04, 08, 11 и не более 6 пф по |

|выводам 09, 10, 12, 13. |

|— допускается подключение к выходам емкости не более 200 пф, при этом |

|нормы на динамические параметры не регламентируются; |

|— эксплуатация микросхем в режиме измерения iq, uqjjj не допускается; |

|— допустимое значение статического потенциала — 200 В; |

|— допускается кратковременное воздействие (в течение не более |

|5 мс) напряжения питания до 7 В; |

|— собственные резонансные частоты микросхем до 20 кГц отсутствуют; |

|— максимальное время фронта нарастания и время фронта спада входного импульса — |

|не более 1 мкс, а по входу синхронизации не более 50 не. |

| |

|Параметры временной диаграммы работы: |

|— длительность импульса по выводам 09, 12 (С) — не менее 20 не, по выводам 10, |

|13 (R) — не менее 25 не; |

|— время опережения установки информации по выводам 01, 04, 08, 10, 11. 13 (J, К,|

|I — не активный фронт) относительно фронта спада на выводе 09, 12 (С) — не менее|

|20 не; |

|— время удержания информации на выводах 01, 04, 08, 1! (J, К) относительно спада|

|на выводе 09, 12 (С) — не менее 0 не; |

|— максимальная тактовая частота на выводах 09, 12 (С) — не более 34 МГц. |

| |

|Дополнительная информация: |

|— технические условия бК0.348.80бт35ТУ. |

| |

4. Графическая часть

4.1 Схема

Условное графическое обозначение

[pic]Таблица назначения выводов

|Номер вывода |Обозначение |Назначение |

|01 |J1 |Вход управления J триггера Т1 |

|02 |[pic] |Выход инверсный триггера Т1 |

|03 |Q1 |Выход прямой триггера Т1 |

|04 |K1 |Вход управляющий К триггера Т1 |

|05 |Q2 |Выход прямой триггера Т2 |

|06 |[pic] |Выход инверсный триггера Т2 |

|07 |0V |Общий вывод |

13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. . .

Проверил .

Лист

Листов

УКСИВТ,

3А-1

|09 |C2 |Вход тактовый |

|10 |[pic] |Вход установки нуля триггера Т1 |

|11 |K2 |Вход управляющий К триггера Т2 |

|12 |C1 |Вход тактовый |

|13 |[pic] |Вход установки нуля триггера Т2 |

|14 |U |Вывод питания от источника питания |

Расположение выводов

[pic]

13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. .

Проверил .

Лист

Листов

УКСИВТ,

3А-1

Функциональная схема

[pic]

4.2 Общий вид

Таблица истинности

|Входы |Выход |

|[pic] |C |J |K |Q |[pic] |

|0 |X |X |X |0 |1 |

|1 |1/0 |0 |1 |0 |1 |

|1 |1/0 |1 |1 |СЧЕТНЫЙ РЕЖИМ |

|1 |1/0 |0 |0 |Q0 |[pic] |

|1 |1/0 |1 |0 |1 |0 |

|1 |1 |X |X |Q0 |[pic] |

Динамические параметры

| | | |ния | |

| | |не |не | | |

| | | | | |t=2nc |

13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. . .

Проверил .

Лист

Листов

УКСИВТ,

3А-1

Статические параметры

| | |не |не |измерени| |

|Uoh |Выходное напряжение |UCC-2 | |В |Ucc=4,5В |

|uol |Выходное напряжение | |0,4 0,5|В В |Ucc=4,58 |

| | | | | | |

|IIH |Входной ток высокого| |20 40 |мкА |UCC=5,5B |

| |01,04, 03. 11 - по | | | | |

| |13 | | | | |

|iil |Входной ток низкого | ||-0,2| |мА |UCC=5,5B |

| |уоовня - по выводам | ||-0,4| | |UTL=0.4B |

| |01, 04, С 3,11 - по | | | | |

| |13 | | | | |

|Io |Выходной ток |I-30I ||-112| |мА |UCC=5,5B |

| | | | | |U0=2.25B |

|ucdi |Прямое падение | |1-1,51 |В |Uгр=4,53, |

|Ucc |Ток потребления | |4,5 |мА |UCC=5,5B |

13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. .

Проверил .

Лист

Листов

УКСИВТ,

3А-1

Функциональный ряд ИС ТТЛ КР1533ТВ*

| |

|Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. |

|При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно |

|создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым |

|уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.' |

|Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и|

|n-слоев, образующих эмиттер, базу, коллектор биполярных транзисторов, сток, |

|исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие |

|р-n-переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее|

|поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь |

|пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и|

|его сопротивление регулируют путем изменения режима диффузии (температуры и |

|продолжительности диффузии). |

|Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник |

|применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до |

|80—300 кэВ, а затем их направляют на подложку, защищая при помощи маски те |

|участки, которые не должны подвергаться легированию. Введение примесей в широком|

|диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля |

|дозировок примесей позволяют изменять параметры элементов в требуемых пределах. |

|Поэтому вместо диффузии все больше применяют ионное легирование, хотя ее |

|внедрение связано с переоснащением производства ИМС дорогостоящим оборудованием.|

| |

|В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на |

|подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу |

|проводника, а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида, с иной |

|шириной запрещенной зоны. В частности, это необходимо для расширения |

|функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, |

|формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых |

|слоев). |

|Термин «эпитаксия», впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время |

|процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая |

|фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с |

|образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию|

|двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов. По |

|окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с |

|образованием слоя требуемой толщины. |

|Эпитаксиальный слой (ЭС) – это монокристаллический слой новой фазы, выросший в |

|результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго |

|определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с |

|подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности |

|подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и |

|ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической |

|плоскости, выходящей на ее поверхность. |

|Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это |

|кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление |

|зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов |

|получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации: |

| |

|Механизм пар – кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из |

|парообразного или газообразного состояния вещества; |

|Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К), когда образование твердой фазы |

|из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может |

|служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры,|

|превышающей температуру плавления Ge; |

|Механизм твердое тело – кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя|

|производится из электролитов или расплавов. |

|Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремниевой пластины |

|полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько |

|микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 °С подложкой потока газа,|

|содержащего несколько соединений, которые, вступая в химическую реакцию, |

|разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или |

|р-проводимостью на поверхности пластины. |

|Напыление и нанесение пленок. Элементы полупроводни |

|ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, полученного |

|путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью |

|фотолитографии окон под контакты в вакууме напыляется алюминиевая пленка на всю |

|поверхность пластины. Путем напыления формируют также металлизированные |

|площадки, к которым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы |

|микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзисторы в гибридных|

|ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, |

|представляющие собой золотые удлиненные выступы. Во время сборки гибридной ИМС |

|балочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к |

|ним, нагревая до температуры, при которой образуется эвтектический спай. Наконец|

|путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в |

|совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок. |

Используемая литература

1. Справочник «Логические ИС. КР1533, КР1554. Часть 2.». - БИНОМ, 1993г.

2. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. - «Металлургия», 1988г.

3. «Интегральные микросхемы и основы их проектирования».

Н.М. Николаев, Н.А. Филинюк.

4. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы». Справочник.

5. «Логические интегральные схемы КР1533, КР1554». Справочник.

6. «Конструирование и технология микросхем».

7. «Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах».

Справочник. Г.И. Пухальский, Т.Я. Новосельцева.

-----------------------

Лит

Масштаб

Масса

КР1533ТВ6

Лит

Масштаб

Масса

КР1533ТВ6

Лит

Масштаб

Масса

КР1533ТВ6

Лит

Масштаб

Масса

КР1533ТВ6

Лит

Масштаб

Масса

КР1533ТВ6

Лит

Масштаб

Масса

КР1533ТВ6