История развития криоэлектроники

связью, многоэлементные ИК приемники, ИК лазеры и др.);

— интегральная СВЧ криоэлектроника (интегральные схемы СВЧ усилителей,

циркуляторов, фильтров, смесителей и др.);

. интегральная криоэлектроника на основе слабосвязанных сверхпроводников

для вычислительной техники (интегральные схемы логики и памяти) .

Значительное увеличение удельного веса работ по интегральной

криоэлектронике отражает суть нового этапа в развитии криоэлектроники,

обусловленного успехами технологии пленочных и полупроводниковых схем

микроэлектроники. Использование достижений технологии изготовления

интегральных схем в криоэлектронике открыло пути комплексной

микроминиатюризации ряда электронной приемной аппаратуры при

одновременном качественном улучшении ее основных параметров. Такому

положению способствуют глубинные процессы, происходящие в электронике.

— интеграция большого числа элементов в одном криостатируемом корпусе;

. создание многокомпонентных гетероструктур, в том числе на основе

узкозонных материалов;

— интеграция явлений, функций и разнородных материалов в одной

структуре на основе контактов сверхпроводник - полупроводник,

параэлектрик - сверхпроводник;

. применение криогенной технологии (крионасосов, криогенного охлаждения

подложек, охлаждения химических веществ для проведения уникальных реакций

методом туннелирования при низких температурах) для создания

криоэлектронных элементов. Исчезновение активного сопротивления в

сверхпроводниках при криогенных температурах в широком спектре частот

позволяет практически полностью устранить тепловые потери, повысить к. п.

д. элементов и создать резонаторы с добротностью до 108—1012 вместо

103—104 на частотах вплоть до 10—30 ГГц. На основе эффекта Джозефсона и

явлений в контактах сверхпроводник— полупроводник могут быть разработаны

высокочувствительные датчики, измеряющие напряжения 10-16 В,

видеодетекторы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн с

чувствительностью 10-15 Вт/Гц1/2, тонко-пленочные интегральные схемы

памяти и логики с быстродействием 10-11 с, работающие почти без выделения

тепла, магнитометры с чувствительностью на 5 порядков выше, чем у

наилучших известных приборов.

Вымораживание примеси в полупроводнике при уменьшении тепловой энергии

решетки ниже энергии ионизации примеси, устранение собственной

проводимости в узкозонных полупроводниках, токов термоэлектронной эмиссии

в барьерах Шоттки за счет охлаждения открывают пути для приема излучений

в недоступных кремниевым фотодиодам и ПЗС участках спектра, вплоть до

дальнего ИК диапазона. Кремниевые ПЗС с барьерами Шоттки при азотных

температурах охватывают диапазон до 3,5 мкм, ПЗС на основе InSb и

кремниевые ПЗС, легированные In, до 3—5 мкм, гибридные ПЗС с применением

HgCdTe, PbSnTe имеют в дальнем ИК диапазоне пороговую чувствительность,

приведенную к единичной фотоприемной площадке 1 см2, при азотных

температурах порядка 10-10-10-11 Вт/Гц1/2, если отношение сигнал/шум

равно 1. Глубокое охлаждение решетки твердого тела приводит к

значительному уменьшению тепловых шумов, являющихся принципиальным

органичением при повышении чувствительности электронных приборов,

особенно в СВЧ и ИК диапазонах. Шумовая температура охлажденных

полупроводниковых усилителей может достигать 5—20 К в широком диапазоне

частот, а шумовая температура смесителя на контакте полупроводник -

сверхпроводник на частотах ~1010 Гц составляет при гелиевых температурах

рекордно малую величину — около 13 К, гетеродинный приемник

лазерного излучения имеет при 77 К чувствительность около 10-20 Вт/Гц1/2

в ИК диапазоне.

Интенсивное развитие интегральной криоэлектроники тесно связано с

созданием криостатов с жидким и твердым хладоагентом и микрокриогенных

систем с замкнутым циклом, не требующих периодического пололнения жидким

или газообразным хладоагентом. Создание криостатов с охладителями типа

Макмагона—Джиффорда позволило надежно освоить диапазон на стыке

водородных и гелиевых температур, появились микрокриогенные системы

гелиевого уровня. Криостаты с дроссельными микроохладителями после

применения в них газовых смесей становятся конкурентоспособными по

сравнению с другими системами. Начинается внедрение гибридных электронных

охладителей на основе эффектов Пельтье, Эттингсгаузена. Существенной

особенностью этих охладителей является слабая зависимость относительного

термодинамического к. п. д. от холодопроизводительности, в то время как

соответствующий коэффициент газовых машинных охладителей резко снижается

при уменьшении холодопроизводительности. Таким образом, можно будет снять

ограничение с минимально достижимой холодопроизводительности, что, в свою

очередь, уменьшает размеры всей охлаждающей системы. Именно в области

криогенных систем малой холодопроизводительности электронное

криостатирование, в задачи которого входит создание криогенных

твердотельных электронных микроохладителей на различные уровни температур

вплоть до сверхнизких, будет, по-видимому, наиболее конкурентоспособным.

Интегральная криоэлектроника позволит в дальнейшем объединить в одном

твердотельном модуле электронную охлаждаемую схему с электронным

охладителем, что является способом создания полностью твердотельных

криоэлектронных интегральных схем. В такой необычной схеме охладительная

часть также может быть выполнена методами интегральной технологии и иметь

один и тот же источник питания. При этом предварительное охлаждение может

осуществляться не электронными методами, что важно для разработки

микроэлектронных систем с большой степенью интеграции, например антенных

фазированных решеток. Развитие интегральной криоэлектроники как новой

отрасли микроэлектронной техники непрерывно ставит перед исследователями

новые задачи:

— создание электронных приборов с принципиально новыми свойствами на

основе открытых физических низкотемпературных явлений путем использования

технологии интегральных полупроводниковых схем;

— изменение физических свойств структур за счет глубокого охлаждения

для получения принципиально нового прибора;

— создание новых конструктивных и технологических методов с целью

сочетания в одном электронном функциональном модуле свойств

криоэлектронного прибора и микроохладителя;

. комплексная микроминиатюризация охлаждаемых многофункциональных узлов

аппаратуры с одновременным улучшением ее электрических параметров.

Часть 3

Микроэлектроника и холод

Микроминиатюризация в области электронно-вычислительной техники —

важнейшее направление научнотехнического прогресса.

На основе полупроводниковых интегральных схем можно было бы создать

мощную ЭВМ размером всего со школьный ранец, если бы был предложен

эффективный способ отвода тепла от такого устройства. Но это оказалось

непосильной для современной техники задачей: устройство должно выделять

до киловатта энергии каждую секунду. Решение было найдено с помощью

криогеники в сочетании с отказом от полупроводников.

Четверть века назад, а точнее, в 1962 году, английский ученый Джозефсон

(в то время он был еще студентом) теоретически предсказал эффект,

названный позднее его именем. На основе эффекта Джозефсона было

сконструировано электронное устройство, так называемый «джозефсоновский

переход». Оно представляет собой два сверхпроводящих электрода,

разделенных тончайшим (от 10 до 50 А) слоем диэлектрика. Диэлектрик даже

при сверхнизких температурах электрический ток не пропускает. В данном же

случае благодаря сверхпроводящему состоянию электродов и в зависимости от

приложенных к переходу электрических и магнитных полей электрический ток

через изолятор проходит. Причем при температуре 4,2К такой прибор

выделяет в 10000 раз меньше тепла, чем обычный транзистор. Иными словами,

ЭВМ той же мощности, что и упомянутая выше, но построенная не на

полупроводниках, а на сверхпроводящих элементах, выделяла бы всего 0,1 Вт

в секунду! А каждый «джозефсоновский переход» может работать и как

детектор, и как усилитель, и как ячейка памяти, и как логический элемент.

Наиболее стабильны в работе «джозефсоновские переходы» с электродами из

ниобия.

Устройства сверхпроводящей электроники уже используются на практике.

Так, на их основе созданы сверхчувствительные измерители магнитных

потоков и полей, успешно применяемые в медицине (магнитокардиография и

магнитоэнцефалография).

Большое внимание наука уделяет сейчас разработки способов получения

сверхчистых металлов, анализа их чистоты и изучения их свойств. А надо

сказать, что свойства эти поистине удивительные. Например, титан, висмут,

вольфрам, хром, молибден, тантал, цирконий долго считались хрупкими. В

чистом же виде они оказались пластичными и прочными. И чем выше чистота

полученных образцов, тем больше вероятность обнаружения "маскируемых"

примесями подлинных свойств металлов.

В лабораториях Института проблем технологии микроэлектроники и особо

чистых материалов получены монокристаллы многих сверхчистых металлов —

меди и серебра, никеля и кобальта, висмута и свинца, индия, сурьмы,

самария. Их проба чистоты чрезвычайно высока — до 99,999999 процента!

Такая почти идеальная чистота удовлетворяет требованиям микроэлектроники,

где металлы находят все более широкое применение.

Жесткие требования микроэлектроники к чистоте используемых

металлических материалов связаны с тем, что сверхчистый металл ведет себя

почти как сверхпроводник, помехи электронам проводимости создают «чужие»

атомы. А это значит, что при отсутствии таких помех, т.е. при работе со

сверхчистыми металлами, не возникает (или, точнее, значительно слабее

проявляется) проблема отвода тепла. Кроме того, что очень важно для

электронно-вычислительной техники, непрерывно циркулирующий поток

информации в виде заряда, волны и пр. в схеме, выполненной из сверхчистых

металлов, не встретит препятствий, а это предохранит устройство от сбоев

и ошибок.

Получение сверхчистых металлов — тема особая, и мы не будем ее

касаться. Скажем только, что сохранить вещество в чистом виде не менее

сложно, чем получить. И здесь на помощь опять-таки приходит криогенная

техника: один из эффективных способов сохранения чистоты металлических

материалов — содержание их в условиях сверхнизких температур (в жидком

азоте, а еще лучше — в жидком гелии).

В Советском Союзе разработан метод определения чистоты сверхчистых

металлов (при содержании примесей менее 10-4 процентов), основанный на

использовании электромагнитных волн особого, типа — геликонов. Эти волны

затухают в ряде металлов пропорционально концентрации примесей.

Любопытно, что геликоны есть не что иное, как затухание электромагнитных

волн, испускаемых плазмой заряженных частиц, что наблюдается лишь в

вакууме. Иными словами, сверхчистые металлы проявляют свойства вакуума.

Такое же сходство свойств с вакуумом сверхчистые металлы проявили при

исследовании «пробега» в них свободных электронов. В сверхчистых образцах

индия, например, охлажденных до температур ниже температуры кипения

гелия, электроны проходили 8—10мм — как в вакууме! Более того, была

доказана возможность с помощью магнитного поля фокусировать и управлять

траекториями электронов проводимости внутри образца сверхчистого металла.

Важно отметить, что в сверхчистых металлах плотность потока электронов

проводимости составляет 1022 электронов в 1 см3, т. е. почти как в

вакууме и в сотни тысяч раз больше, чем в полупроводниках.

Отсюда был сделан естественный вывод: использование сверхчистых

металлов в конструкциях ЭВМ резко повысило бы эффективность

вычислительных и управляющих систем. По мнению директора Института

проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов, члена-

корреспондента АН СССР Ч. В. Копецкого, развитие науки и техники в этом

направлении может привести к появлению новой отрасли — металлической

электроники, или металлотроники. Основным элементом электронных систем,

по его мнению, могут стать «триады» из двух сверхчистых металлических

монокристаллов, соединенных (или разделенных) микромостиком («длиной» до

100 мкм), изготовленным также из металлического монокристалла особой

чистоты. Через такой микромостик при близких к абсолютному нулю

температурах можно пропускать электроток огромной плотности — 109— 1010

А/см2 . И мостик при этом даже не нагревается. Это поистине

парадоксальное свойство сверхчистых металлов, ведь самый тугоплавкий

металл обычной технической чистоты испаряется при плотности тока 105 на

квадратный сантиметр.

Одним словом, металлотроника в содружестве с криогенной техникой являются

продвижением научно-технического прогресса.

Перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с

полупроводниками в криогенной микроэлектронике

Проблема создания структур на основе контактов С—П, приборов и

многофункциональных устройств на этих структурах является комплексной.

Нужно пройти большой путь от разработки воспроизводимой технологии

получения простейших контактов и приборов, например полупроводникового

(как это ни странно звучит) криотрона с джозефсоновским вентилем,

сверхчувствительных детекторов дальнего ИК диапазона до криоэлектронных

приемных устройств и вычислительных систем, в которых необходимо будет

найти разумное сочетание различных рассматриваемых структур. Но в целом

этот путь полезный и даёт много нового микроэлектронике. Это можно

показать в виде условной схемы на рисунке № 1, в которой представлены не

только структуры и приборы, о которых выше упоминалось, но и возможные

перспективные приборы.[9] Применение рассмотренных структур на основе

контактов сверхпроводников с полупроводниками в криоэлектронике открывает

новые возможности для создания различных (функциональных приборов:

усилителей, детекторов, преобразователей, ПЗС с внутренним усилением,

приемников ИК диапазона, линий задержки, регистров сдвига. Сочетание на

одном полупроводниковом кристалле нескольких структур, выполненных в

одном технологическом цикле, например структур, имеющих параметрические и

детекторные элементы, в принципе позволяет поднять чувствительность

криоэлектронных приемников прямого усиления до уровня супергетеродинных.

Сочетание сверхпроводящих структур с полупроводниковым барьером, в

которых при проявлении эффекта Джозефсона частоты принимаемого сигнала

могут охватить практически весь ИК диапазон, с регистром сдвига на

структурах с зарядовой связью и малошумящими усилительными элементами

позволяет создать многоэлементные приемники с самосканированием,

работающие в дальнем и сверхдальнем ИК диапазонах. Возможно создание на

этой основе и многодиапазонных ПЗС ИК диапазона. При построении сложных

интегральных схем на СВЧ микрополосковые линии и резонаторы усилителей

могут быть выполнены непосредственно на той части поверхности

полупроводникового кристалла, в которой при температурах ТТс) и нелинейными криопараэлектриками, в

которых заложены многие новые функциональные возможности, заняли свое

место среди новых материалов и структур микроэлектроники. При этом могли

появиться приборы как бы с тройной интеграцией: интеграцией элементов,

интеграцией материалов и явлений и интеграцией функций в одной

твердотельной схеме с корпусом-криостатом.

Полезно обратить внимание на принципиальное различие между

энергетической щелью (запрещенной зоной) в полупроводнике и щелью в

сверхпроводнике. В полупроводнике минимумы энергии Е(р) определяются

кристаллической решеткой и наличие щели приводит при Т==0 К (при

отсутствии контакта со сверхпроводником), к нулевой проводимости. В

сверхпроводнике минимумы Е(р) определяются взаимодействием электронов

внутри электронной системы и наличие щели приводит к бесконечной

проводимости.

Заключение

Новые проблемы и пути их решения

Криоэлектронику часто относят к микроэлектронике, считая ее высшей

ступенью создания интегральных пленочных схем для ЭВМ. Это определение

весьма неполное и охватывает только одно из направлений

криоэлектроники—интегральную криотронику на тонкопленочных

сверхпроводниковых элементах со слабой связью. В целом же интегральная

криоэлектроника, базируясь на достижениях технологии современной

микроэлектроники, включает более широкий круг проблем, без решения

которых невозможно создать приборы, работающие при криогенных

температурах и пригодные для серийного производства и постоянной

эксплуатации. Дело в том, что криоэлектроника в отличие от

полупроводниковой микроэлектроники опирается на новые физические явления,

такие как: сверхпроводимость, эффекты Джозефсона, явления в узкозонных

полупроводниках, полуметаллах, параэлектриках и др., проявляющиеся только

при охлаждении и не реализованные ранее. При этом криоэлектронный

микроприбор или интегральная криоэлектронная схема может представлять

собой симбиоз охлаждаемой электронной схемы и охладителя (газового,

электронного либо радиационного). Развитие интегральной криоэлектроники,

как и развитие всей микроэлектроники, знаменует собой новый этап в

электронной технике. Внедрение криоэлектронных приборов в народное

хозяйство, в технику связи и телевидение, вычислительную,

радиолокационную технику и приборостроение не только позволяет в больших

системах уменьшить габариты, массу и стоимость аппаратуры при увеличении

ее надежности, но и приведет к коренному улучшению электрических

параметров этой аппаратуры. Как видно из приведенных материалов, уровень

охлаждения в основном определяет параметры и область применения

криоэлектронных приборов. Приборы азотного уровня охлаждения, самые

дешевые и легкие, могут все шире применяться в массовой мобильной

аппаратуре, а приборы гелиевого уровня охлаждения, энергопотребление

которых в 25—70 раз больше, находят применение в стационарных, тяжелых

объектах или там, где уже есть жидкий гелий. При этом электрические

параметры приборов гелиевого уровня, в которых могут использоваться

сверхпроводники, будут значительно лучше параметров приборов других

уровней охлаждения, где сверхпроводники применить не удается. Границы

применения криоэлектронных изделий трудно установить, но совершенно

очевидно, что расширение и углубление научных, конструкторских и

технологических работ в области криоэлектроники вообще и, в частности,

техники криостатирования позволяет решить ряд важных проблем.

Первая проблема — освоение дальнего и сверхдальнего ИК диапазонов для

приема естественных и лазерных ИК излучений. Это позволяет расширить

спектральные границы систем для изучения природных ресурсов Земли и

планет и поставить новые твердотельные охлаждаемые лазеры, эффективно

работающие в ИК диапазонах на службу человеку.

Вторая проблема—создание криоэлектронных индикаторов слабого теплового

излучения на базе интегральных приборов с зарядовой связью для

тепловидения в промышленности, геологии и в медицине. Есть основание

полагать, что криоэлектронные индикаторы дадут возможность осуществить

раннюю диагностику ряда раковых заболеваний.

Третья проблема—создание массовых малогабаритных сверхчувствительных

приемников, воспринимающих с высокой избирательностью по частоте и

помехозащищенностью такие слабые радиосигналы, которые обычные приемники

даже не в состоянии обнаружить. Эти приборы находят самое широкое

применение в системах оповещения, управления, связи, телевидения,

телеметрии, пассивной локации и навигации, космической техники,

радиоастрономии, приборостроения и системах наведения. При этом,

например, дальность обнаружения пассивной локации, связи, телеметрии

возрастает в 2—3 раза, защита от помех в 10—100 раз. Прием сверхдальнего

телевидения через спутник в любой точке страны в новых

высокоинформативных участках СВЧ диапазона возможен непосредственно

домашними телевизорами с помощью небольшой коллективной антенны.

Разработка твердотельных перестраиваемых и модулируемых лазеров дальнего

ИК диапазона и создание нового тина твердотельных СВЧ генераторов,

имеющих при высоком к. п. д. стабильность частоты, присущую квантовым

генераторам, в десятки и сотни раз большую выходную мощность во всем СВЧ

диапазоне, является четвертой проблемой.

Криоэлектроника позволила создать большие и сверхбольшие интегральные

схемы нового типа на основе сверхпроводящих пленочных структур для

разработки нового класса электронных вычислительных машин со сверхбольшой

памятью, меньших по габаритам и в 10— 100 раз более производительных, чем

ранее существующие. В результате успешного решения технологических

проблем в 1980—1985 гг. были изготовлены ЗУ с емкостью 256 Кбит на

кристалле, временем записи и считывания 620 и 340 нс соответственно и

потребляемой мощностью 7 мкВт.

Согласно прогнозам давних лет сверхпроводниковая ЭВМ могла бы быть

изготовлена к 1990 г., причем память большой емкости - к 1983—1985 гг., а

Центральный криоэлектронный процессор - к 1985—1987 гг. Однако из-за

необходимости охлаждения сверхпроводниковые вычислительные устройства

имеют ограниченные специальными целями применения. Значительный прогресс

в разработке и выпуске, холодильных устройств (криостатов и

рефрижераторов с замкнутым циклом на температуру 4,2 К) существенно

удешевляет затраты, связанные с охлаждением. Действительно, ЗУ емкостью

108 бит состоит из 5*103 пластин размером 1 см2 содержащих каждая 2*104

бит. Мощность, потребляемая одной платой 10-4 Вт, полным ЗУ—0,5 Вт.

В эти же годы, по прогнозу, должны были быть созданы комбинированные (с

газовым каскадом) и электронные твердотельные микроохладители на

различные уровни криогенных температур, вакуумные и твердотельные приборы

со сверхпроводящими соленоидами для освоения новых СВЧ диапазонов

(миллиметровых и субмиллиметровых волн), измерительные приборы с

разрешающей способностью и чувствительностью в 100—1000 раз лучше

существующих.

Характерной чертой электроники являлось разнообразие материалов,

применяемых в электронной технике. Наряду с диэлектриками и широкозонными

полупроводниками все большую роль в электронике играли узкозонные

полупроводники, материалы с температурой Кюри, лежащей в области

криогенных температур, и сверхпроводящие материалы. Если ранее широкому

внедрению сверхпроводников в электронику препятствовало то, что

сверхпроводимость в них наступала при очень глубоком охлаждении, близком

к абсолютному нулю, то теперь положение коренным образом изменилось.

Синтезированы новые материалы, которые уже при Т~20 К становятся

сверхпроводниками, созданы узкозонные полупроводниковые твердые растворы,

полуметаллы, тонкие пленки, гетеро- и варизонные структуры на их основе,

параэлектрические пленки на SrTiO3 с высокой нелинейностью, примесные

пленки. Для выполнения столь обширной программы в области криоэлектроники

необходима консолидация научных сил, занимающихся низкотемпературным

материаловедением, низкотемпературной электроникой твердого тела и

криогенным приборостроением, а также проведение фундаментальных работ по

основным направлениям криоэлектроники, без которых нельзя ликвидировать

создавшийся разрыв между большими открытиями в физике низких температур,

прежде всего по сверхпроводимости и свойствам узкозонных полупроводников,

полуметаллов и параэлектриков при криогенных температурах, и возможностью

их широкого практического использования. Вместе с тем очевидно, что

развитие криоэлектроники обогащало научно-техническую оснащенность

страны, способствовало более быстрому развитию физики, химии,

радиотехники, связи, автоматики, приборостроения. С каждым годом

увеличивалось влияние криоэлектроники на другие области электронной

техники. Это обусловлено тем, что непрерывное улучшение параметров

электронных приборов постепенно приближает их к теоретически возможному

пределу при обычных температурах. Глубокое охлаждение позволяет намного

перешагнуть эти пределы и применять охлажденные приборы в едином модуле с

криоэлектронными, что приводит к комплексной микроминиатюризации сложной

радиоэлектронной аппаратуры.

Приборы криоэлектроники, как и приборы вакуумной, полупроводниковой,

квантовой электроники и микроэлектроники, должны непрерывно дополнять и

расширять возможности электроники. Это открыло огромные перспективы. На

рубеже 1985—1995 гг. планировалось осуществить разработку и выпуск

многоспектральных криоэлектронных приемных устройств, перекрывающих

средний, дальний и сверхдальний ИК диапазоны для комплексов изучения

природных ресурсов Земли и планет. А также следующее:

. промышленный выпуск приемных и приемопередающих ИК и СВЧ криоэлектронных

модулей с твердотельными и электронными охладителями, которые находят

широкое применение во многих наземных, космических и орбитальных системах

связи, в радиолокации, телеметрии, управлении, автоматике,

приборостроении, ракетной технике;

. широкое внедрение криоэлектронных приборов, обеспечивающих

непосредственный прием через космос многих программ телевидения в любой

точке Земли домашними телевизорами, а также прием сверхдальнего

телевидения в салонах самолетов дальних рейсов, поездах и пароходах

дальнего следования, в автомобилях. Возможен прием в любой точке Земли

цветного телевидения, передаваемого как земными телецентрами, так и

телецентрами других объектов;

— Возможно также создание крупных орбитальных криогенных вычислительных

центров единой системы навигации и прогноза погоды; сооружение криогенных

вычислительных центров на Луне и других планетах, а также комплексов,

работающих в открытом космическом пространств с охлаждением за счет

радиации и твердых газов;

— приближение к. п. д. многих электронных приборов СВЧ к 100%; освоение

новых участков спектра в дальнем ИК диапазоне;

— разработка массивов криотронных микропереключателей с внутренней

логикой для создания автоматической телескопной связи, охватывающей в

единой системе народное хозяйство и население страны. Одной из причин,

вынуждающих уже сегодня все шире применять криоэлектронные приборы,

является резкое усложнение условий, в которых должны работать электронные

приборы. С каждым годом область рабочих температур непрерывно

расширяется, и если когда-то температура —80°С была пределом для

интегральной схемы, то теперь рабочие температуры понижаются до —200°С и

даже —270°С, т. е. почти до абсолютного нуля. Космическое пространство с

его условиями вакуума, холода, радиации, а также ракетные криогенные

жидкости (жидкий кислород, водород) гелий и отвердевшие замороженные газы

- вот примеры сред, в которых должны функционировать современные приборы

электроники.

Развитие в мире нового вида энергетики, основанного на промышленном

использовании криогенного водородного топлива (газа, жидкой и твердой

фазы) вместо минерального топлива и электроэнергии, стремительное

освоение космоса делают все более обычным внедрение криоэлектронных

изделий в народное хозяйство.

В заключение необходимо отметить, что развитие криоэлектроники,

конечно, не приводит к замене существующих методов создания электронных

приборов, а лишь расширяет возможности электронной техники, особенно там,

где не требуется сверхминиатюрность, а высокие электрические параметры

интегральных устройств являются определяющим фактором.

Вывод

Применение криогенных температур в электронике в промышленных масштабах

началось в 50-х гг. ХХ в. в СССР, США и др. странах, когда были получены

важные для радиоэлектроники практические результаты исследований

низкотемпературных явлений в твердом теле и достигнуты успехи в области

криогенной техники по разработке малогабаритных, экономичных и надежных

систем охлаждения. Существенную роль в развитие криоэлектроники сыграли

потребности радиоастрономии и космической связи в радиотелескопах и

земных станциях, обладающих высокочувствительными приемными трактами, с

помощью которых можно было бы компенсировать затухания радиоволн при

распространении на протяженных трассах. Применение криогенного

оборудования позволило снизить собственные тепловые шумы входных цепей

радиоэлектронных устройств, предназначенных для работы при малом

отношении сигнал-шум. В СССР результатом комплексных исследований свойств

охлажденного твердого тела стало создание в 1967 системы земных станций

космической связи "Орбита" для приема программ центрального телевидения

через спутник связи "Молния" в диапазоне частот около 1 ГГц. В составе

приемной аппаратуре земных станций применялся многокаскадный

широкополосный малошумящий параметрический усилитель, первые каскады

которого охлаждались жидким азотом. Важным этапом в развитие

криоэлектроники явились разработка в СССР первого в мире приемника

субмиллиметрового диапазона длин волн с гелиевым охлаждением и его

успешные испытания в 1978 на борту научно-исследовательского комплекса

"Салют-6" - "Союз-27". Установленный в 1979 на радиотелескопе АН СССР

(РАТАН-600) криоэлектронный радиометр вывел этот радиотелескоп в разряд

одного из самых чувствительных в мире и позволил на порядок увеличить

объем информации о радиоизлучении Галактики. В 1984-86 в процессе

реализации многоцелевого международного проекта "Венера - комета Галлея"

криоэлектронный параметрический усилитель в составе радиоприемной

аппаратуры обеспечил прием с расстояния более 100 млн. км

радиолокационного изображения планеты Венера и крупномасштабных

телевизионных изображений кометы Галлея с космических аппаратов "Венера-

15","Венера-16","Вега-1","Вега-2".

Приложение

Таблица № 1

Некоторые свойства веществ при криогенных температурах.

|Газы |Диэлектрики, |Полупроводники, |Нормальные |Сверхпроводники|

|(«криогенные»)|параэлектрики, |полуметаллы, |металлы | |

| |сегнетоэлектрик|безщелевые и | | |

| |и |узкозонные | | |

| | |полупроводники | | |

|Ожижение азота|Фазовые |Изменение |Увеличение |Исчезновение |

| |переходы |подвижности и |проводимост|активного |

| | |концентрации |и при Т<

| | |носителей | | |

|Отвердевание |Аномальный рост|Ударная ионизация |Аномальный |Идеальный |

|азота |e и изменения |при kT< Ei |скин-эффект|диамагнетизм, |

| |tg d у ионных |Эффекты шнурования|на СВЧ |макроскопически|

| |кристалов |тока |Спонтанное |е эффекты |

| |вблизи |Магнитно-диодный |возникновен|Квантование |

| |температуры |эффект |ие |магнитного |

| |Кюри – Вейсса | |ферромагнет|потока |

| | | |изма у |Вихревая |

| | | |металлов с |структура у |

| | | |низкими |сверхпроводнико|

| | | |температура|в 2 рода и |

| | | |ми Кюри |пленок |

|Отвердевание |Возникновение |Вымораживание |Резонансные|Взаимодействие |

|кис-лорода, |спонтанного |примесей |явления |внешнего поля с|

|парамагнетизм |электрического |Образование |Изменение |энергентической|

|кислорода |дипольного |примесных зон и |теплоемкост|щелью |

|Ожижение и |момента |явления перескока |и и |Реактивность |

|отвердевание | |Наведенная |теплопровод|поверхностного |

|неона | |сверхпроводимость |ности |импеданса |

| | | | |Критические |

| | | | |параметры |

| | | | |Скачки |

| | | | |теплоемкости и |

| | | | |теплопроводност|

| | | | |и |

|Ожижение и | |Эффект | | |

|отвердевание | |«отрицательного | | |

|водорода | |сопротивления | | |

|Ожижение гелия| |объема» | | |

| | |Образование | | |

| | |экситонов | | |

| | |Появление | | |

| | |проводимости в | | |

| | |примесной зоне | | |

|Сверхтекучесть| |Рост подвижности | | |

|гелия | |Аномалии | | |

| | |теплопроводности и| | |

| | |теплоемкости | | |

|Аномалия |Дисперсионные |Резонансные |Квантовые |Поверхносная |

|теплоемкости и|явления в ИК |явления |осцилляции |сверхпроводимос|

|теплопроводнос|диапазоне |Магнитоплазменные |поверхностн|ть |

|ти | |волны, геликоны |ого | |

| | | |импданса | |

|Аномалии |Влияние нулевых|Туннелевое | |Неравновесная |

|распространени|колебаний |прохождение | |сверхпроводимос|

|я звука в |Отклонение от |Электронный | |ть |

|гелии |закона |парамагнитный, | |Генерация и |

| |Кюри-Вейсса |ядерный магнитный | |детектирование |

| | |и циклотронный | |фонов больших |

| | |резонансы | |энергий |

| | |Электронный | | |

| | |термомагнитный | | |

| | |эффект | | |

| | |Изменения границ | | |

| | |поглощения ИК | | |

| | |области | | |

| | |Поглощение ИК волн| | |

| | |«мелкими» | | |

| | |примесными | | |

| | |уровнями | | |

| | |Аномалии эффектов,|Геликоны | |

| | |связанных с | | |

| | |переносом зарядов | | |

| | |(гальваномагнитный| | |

| | |, | | |

| | |термоэлектрический| | |

| | |, | | |

| | |гальванотермомагни| | |

| | |тный) | | |

| |Уменьшение |Увеличение |Наведенная |Явления |

| |потерь |электронов |сверхпровод|"пиннинга" |

| |Релаксационные |фононами |имость |"Туннельный |

| |механизмы при | | |эффект" |

| |воздействии СВЧ| | | |

| |облучений | | | |

| | |Образование | |Стационарный и |

| | |"горячих | |нестационарный |

| | |носителей" и | |эффекты |

| | |плазменных явлений| |Джозефсона |

| | | | | |

| |Электрокалориче|Сверхпроводимость | | |

| |ские явления |при наличии | | |

| |Аномалии |давления | | |

| |теплопроволност| | | |

| |и | | | |

| | |Сверхпроводимость |Туннельные | |

| | |в вырожденных |эффекты в | |

| | |материалах |пленочных | |

| | | |структурах | |

| | | |с | |

| | | |диэлектриче| |

| | | |ской | |

| | | |прослойкой | |

| | |Инверсии | | |

| | |подвижности и типа| | |

| | |проводимости | | |

| |Сверхпроводимос|Охлаждение | |Нелинейные |

| |ть при наличии |ультразвуком | |явления в |

| |большого | | |слабосвязанных |

| |давления | | |сверхпроводника|

| | | | |х |

(Рис. 1) Типы возможных структур и интегральных устройств на основе

контактов сверхпроводниковых материалов с полупроводниками:

У С Т Р О Й С Т В А

С Т Р У К Т У Р Ы

(Рис.2)

Криоэлектронные приборы и устройства используются в различных областях

электроники, метрологии и стандартизации, для создания вычислительной

техники, в интересах обороны, освоения космического пространства и

радиоастрономии, а также других отраслей промышленности, морского флота,

сельского хозяйства, геологии.

Космическая связь, локация и наведение кораблей, поиск и обнаружение

теплоизлучающих объектов, дистанционное измерение температур, спектральный

анализ атмосферы планет, тепловидение в медицине, промышленности и геологии

- все эти задачи может успешно решать криоэлетронная техника.

******** Здесь было два рисунка(американский спутник и криогенная

лаборатория)**********

(Рис. 3) Металлические гелиевые криостаты

Криостат ( от крио… и греч. Statos – стоящий, неподвижный),

термостат, рабочий объем которого поддерживается при криогенных

температурах за счет постороннего источника холода. Обычно в качестве

источника холода (хладагента) применяют сжиженные или отвержденные

газы с низкими температурами конденсации ( азот, водород, гелий и

др.). По уровню поддерживаемой температуры и роду используемого

хладагента различают криостат гелиевого, водородного и азотного

уровней охлаждения. Температуру помещенного в криостат объекта

регулируют изменением давления паров хладагента либо с помощью

системы терморегулирования, установленной между источником холода и

объектом.

(Рис. 4) Сверхпроводящий криоэлектронный резонатор

-резонатор с высоким значением добротности (до 1011)

Список литературы

1. Алфеев В.Н. "Радиотехника низких температур", М., 1966г.

2. Алфеев В.Н. "Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в

криоэлектронике", М., 1979г.

3. "Большая советская энциклопедия", М., 1985г.

4. Вендак О.Г., Гарин Ю.Н. "Криогенная электроника, М., 1977г.

5. Губанков В.Н. "Итоги науки и техники, серия радиоэлектроника, т.38", М.,

1987г.

6. Джалли У.П. "Криоэлектроника", М., 1975г.

7. " Криогеника", М., 1986г.

8. Интернет: сервер NASA (www.nasa.gov)

9. " Электроника: Энциклопедический словарь", М., 1991г.

-----------------------

[1] Proceeding of the IEEEE, №10, 1964

[2] В.Н. Алфеев, Радиотехника низких температур, М., изд-во "Советское

радио", 1964

[3] Точнее: 4,216 К (гелий); 20,39 К (водород); 77,3 К (азот), 90,2

(кислород).—Прим. перев

[4] Эффект Джозефсона - протекание сверхпроводящего тока через тонкий слой

изолятора, разделяющий два сверхпроводника ( так называемый контакт

Джозефсона). Если ток не привышает критического значения то падение

напряжения на контакте отсутствует, если привышает то возникает падение

напряженияи контакт излучает ЭМ волны.

[5] Приложение (таблица № 1 )

[6] См. приложения: рис. 3

[7] См. приложения: рис. 2

[8] См. приложения: рис. 4

[9] Приложение (Рисунок 1)

-----------------------

Трехмерные сверх-

решетки

Двухмерные сверхрешетки

Слоистые высокотемпературные

Планар-ные

Туннельные

На основе Сп (А-15)

С полупроводниковой мембраной

С-П-С

П-С-П

Широкозонные

П-С

Полуметаллические П-С

Узкозонные П-С

На сверхпроводящих П-С

Сверхпроводники (С) Полупроводники (П)

М а т е р и а л ы

С-П лазеры

Детекторы и и преобразователи СВЧ

Гибридные ПЗС дальнего ИК

С-П интегральные СВЧ фильтры

Приемники и генераторы фононов

С-П криотрон-ные БИС с Джо-зефсоновскими переходами

Усилители- преселекторы

Запоминающие устройства

Приемники радиовидения

Интегральные гене-раторные схемы с перестройкой

Приемники сверхдальнего ИК диапазона

[pic]

Страницы: 1, 2