|
Рефераты Главная Программирование икомп-ры Психология Радиоэлектроника Аудит АХД экпред финансыпредприятий Банковское дело Биографии Биология и химия Биржевое дело Финансы деньги и налоги Философия Физика и энергетика Военная кафедра Ветеринария Валютные отношения География и экономическая география Геология гидрология игеодезия Государство и право Товароведение Транспорт Нотариат Архитектура Химия Гражданское право и процесс Графология Делопроизводство Деньги и кредит Новые и неперечисленные |
Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)Техническое задание №6. Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах. Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем n-полупроводника. [pic] | |Элемент |Характеристика | |1 |R1 – R4 |4,7 кОм (20% | |2 |R5 |3,3 кОм (20% | |3 |C1 – C4 |20 пФ (20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2 | |4 |T1 – T4 |Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый | | | |полосковый. | |
|